光刻是一种以感光性耐化学腐蚀薄膜（光刻胶）为掩蔽剂的化学加工方法，被称为光刻（photo-etching）或光雕（photo-engraving）。
光刻是在工件的整个表面形成一层光刻胶薄膜，然后利用另行准备的母版对光刻胶进行曝光，使曝光部分不溶于显影剂，未曝光部分可利用显影剂去除，从而在光刻胶上形成所需的图案。（也有一些光刻胶的曝光部分特性与此相反。）
这种方法也可用于化学冲孔或化学切割。这些加工工艺的预处理与后处理工序都是相同的。光刻的常规工序如【图1】所示。
在光刻微加工中，首先需要制作母版（也称为光掩模photo-mask）。这是非常重要的工序，因为母版的精度和质量会对产品产生巨大影响。母版通常是根据设计图将原图放大，然后通过照相法以胶片或干版的形式缩小到原来的尺寸。此时，创建放大原图的工序称为原图工作（art work），然后生成原尺寸母版的工序称为复制照相（camera work）。
在光刻中，为了经济性和操作方便，对于小零件，会创建带有多个全尺寸零件图像的母版。这是因为，这样可以用一片金属材料一次加工出多个零件。
光刻胶中包括负片型（negative resist）和正片型（positive resist）两种类型。负片型的曝光部分会变为不溶于显影液，而正片型的曝光部分会变为可溶。因此，作为用于在材料表面形成所需零件的光刻胶图案的光掩模，对于负片型光刻胶应使用具有负片图像的光掩模，对于正片型光刻胶则应使用具有正片图像的光掩模。通常，负片型光刻胶的使用更为普遍。
已完成曝光和显影的金属材料，可在蚀刻工序中进行化学冲切加工。
